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随着AI训练模型的复杂度持续提升，GPU的峰值电流需求将达到2000A-5000A甚至更高水平，而核心电压则维持在0.8V甚至更低。传统LPD（横向供电）架构电流路径长、寄生参数大、动态响应慢等原因，已无法满足下一代GPU的供电需求。
今年CES上，英伟达NVIDIA确定Rubin会用VPD（垂直供电）方案。根据英伟达NVIDIA的说法，Rubin架构将搭载更宽、更多的HBM4显存，HBM因为已经占据了GPU封装周围所有空间，物理位置已经没有给LPD(横向供电)，因此VPD是确定性方案。英特尔、谷歌也都已开始尝试VPD方案，华为也在关注这项技术，华为有一项关于“芯片垂直供电系统"的发明。（信息来源：电子工程专辑）
（图片来源：Vicor）
然而，VPD架构的引入也对供电系统的测试验证提出了挑战：如何在极低电压下精确模拟数千安培的动态负载，如何验证PMIC（电源管理芯片）在纳秒级瞬态响应中的稳定性，成为摆在所有上游供应商面前的生死线。
技 术 挑 战
VPD架构下的测试难点及应对
挑战维度 | 具体表现 |
超低电压带载能力 | 核心电压低至0.8V以下，要求测试设备具备极低的起始工作电压（<0.5V） |
超高电流模拟 | 峰值电流达5000A，需设备具备大电流扩展能力与高稳定性 |
动态响应测试 | 瞬态电流响应变化率需达5A/us，以模拟AI任务的突发负载 |
PMIC/VRM稳定性验证 | 需捕捉电压跌落（Droop）与过冲（Overshoot）等微秒级瞬态 |
GaN/SiC器件适配 | 高频开关器件对测试设备的高精度与低干扰提出更高要求 |
面对这些挑战，传统电子负载已难以胜任。凭借深厚技术积累的产品性能，N系列超低电压大电流电子负载，专为GPU/CPU超低电压测试场景设计，具备0.2V起始的超低压带载能力，能够覆盖下一代GPU核心电压的测试范围。在电流吞吐方面，N系列不仅能够稳定实现2000A的大电流测试，更具备扩展至5000A极限测试的能力，精准复现GPU在AI训练峰值时的满载工况。
尤为关键的是，N系列低压大电流电子负载具备高达20A/μs的动态电流斜率，远超行业普遍标准。这意味着它能够逼真模拟GPU在执行复杂矩阵运算时毫秒级的电流骤变，协助工程师捕捉PMIC（电源管理芯片）在动态下的微小电压跌落（Droop）与过冲（Overshoot），从而优化环路响应速度，确保供电系统的稳健。正是凭借这一性能，已获得英伟达NVIDIA及其核心PMIC、GaN供应商的高度认可，成为其研发实验室重要的测试设备。
N系列电子负载微妙级动态响应下的电流变化图
在英伟达NVIDIA的生态体系中，高效的供电不仅依赖于架构创新，更离不开功率半导体材料的迭代。为了配合VPD架构对高开关频率与低损耗的严苛要求，以GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）为代表的宽禁带器件已成为主流。测试方案深度融入了这一趋势，其高精度负载能够有效验证GaN器件在高频下的开关特性与热稳定性，帮助合作伙伴优化图腾柱PFC及LLC谐振变换器的拓扑设计，从而在有限的空间内实现更高的功率密度与转换效率。
解 决 方 案
N系列超低电压大电流电子负载
深耕低压大电流测试领域多年，其技术积累源于新能源领域最严苛的测试需求，并针对英伟达NVIDIA VPD架构AI算力场景进行了深度优化，专为CPU/GPU供电测试设计的费思N系列电子负载系列具备以下核心技术优势：
N系列：支持 0.2V满电流带载，达5000A@0.2V，匹配下一代GPU VPD架构的核心电压；
最小内阻 ＜0.2mΩ，确保低压工况下的高电流拉载能力，极大降低测试功耗。超高电流扩展能力
单机支持 2000A@0.2V（FT68206N-20-2000）；
可扩展至 5000A@0.2V（FT68215N-20-5000），覆盖AI训练峰值负载需求。极速动态响应速度
20A/us的瞬态电流响应变化，瞬态测试频率可达20kHz，可精准模拟GPU在矩阵运算中的微秒级电流骤变，帮助工程师捕捉PMIC（电源管理芯片）瞬态响应。
高精度瞬态捕捉
支持 电压跌落（Droop） 与 过冲（Overshoot） 实时监测；
电压测量精度高达 0.025%+0.025%F.S.，电流测量精度 0.05%+0.05%F.S.，确保测试数据可靠。多种测试模式
支持 恒电流、恒电压、恒电阻、恒功率 四种模式；
提供 序列测试功能，可编辑复杂负载时序，模拟实际工况，适用于PMIC（电源管理芯片）动态特性验证。
多种测试模式
支持 恒电流、恒电压、恒电阻、恒功率 四种模式；
提供 序列测试功能，可编辑复杂负载时序，模拟实际工况，适用于PMIC（电源管理芯片）动态特性验证。
通信与控制
支持 RS232、RS485、LAN、USB、CAN（选配）；
支持 SCPI与ModBus协议，便于系统集成与自动化测试，可快速融入现有测试平台。
以下为 N系列电子负载中适用于GPU VPD研发测试的主力型号，用户可根据电流需求选择：
型号 | 电压 | 电流 | 功率 | 满电流电压 | 尺寸 |
FT68203N-20-1000 | 20V | 1000A | 3kW | 0.2V@1000A | 3U |
FT68206N-20-2000 | 20V | 2000A | 6kW | 0.2V@2000A | 5U |
FT68209N-20-3000 | 20V | 3000A | 9kW | 0.2V@3000A | 12U |
FT68212N-20-4000 | 20V | 4000A | 12kW | 0.2V@4000A | 12U |
FT68215N-20-5000 | 20V | 5000A | 15kW | 0.2V@5000A | 12U |
应 用 场 景
从实验室到产持
应用阶段 | 测试目标 | 推荐型号 | N系列价值体现 |
PMIC/VRM研发验证 | 验证VPD架构下的动态响应 | FT68203N-20-1000 | 高动态负载模拟+ 瞬态捕捉 |
GPU系统集成测试 | 模拟AI训练峰值负载 | FT68215N-20-5000 | 5000A扩展能力 + 0.2V低压带载 |
GaN/SiC模块测试 | 高频开关特性验证 | FT68206N-20-2000 | 高精度负载+ 低干扰设计 |
CPU Vcore测试 | 处理器核心供电验证 | FT68203N-20-1000 | 超低压满电流+ 高精度测量 |
产线批量测试 | 稳定性与一致性检测 | FT68203N-20-1000 | 超低压满电流+ 高精度测量 |
结 语
为算力时代筑牢电源测试基石
N系列超低电压大电流电子负载，不仅是测试设备性能的突破，更是对AI算力产业链的一次关键赋能。它解决了VPD架构转型过程中的核心测试难题，为英伟达NVIDIA下一代GPU的性能释放扫清了验证障碍。随着AI工厂对能效与密度的要求愈发严苛，将继续携手PMIC（电源管理芯片）与功率器件厂商，共同筑牢算力时代的能源基石。
